IGBT’ler ve özellikleri.

igbt

Microsemi_IGBT_P1_Fig2

Mosfet ve BJT’lerin üstün özelliklerini bir arada barındıran en son yarı iletken teknolojisi olan IGBT ler düşük anahtarlama güç kaybı ve yüksek anahtarlama hızlarıyla sistem performansını arttırmaktadırlar.
Bir periyod boyunca yüzlerce kez tetiklenebilen IGBT ler, sistemde PWM kontrol tekniğinin uygulanmasına olanak sağlamaktadır.
PWM tekniği ile giriş akımının, şebekeden sinüsoidal olarak çekilmesi sağlanmaktadır.
Giriş güç faktörünün 0.99 olması aşağıdaki avantajları beraberinde getirir.
Şebekeden sadece aktif güç çekilmektedir.
Şebekeden reaktif güç çekilmeyeceği için kompanzasyon panosuna ihtiyaç duyulmaz. Mevcut panonun ömrü de daha uzun olacaktır.
Kaynak enerjisi daha iyi kullanılır. Şebekeden daha az enerji çekilmesiyle tesisatta kullanılan sigorta, kesici vb. nominal akımları ve kabloların kesitleri daha düşük seçilir.
Kesintisiz güç kaynağına bağlanması gereken jeneratör gücü düşmektedir. IGBT doğrultuculu bir güç kaynağına bağlanması gereken jeneratör gücü KGK nominal gücünün 1.15 katıdır. Bu değer 6 darbeli güç kaynaklarında 2, 12 darbeli güç kaynaklarında ise 1.5′tur.
IGBT doğrultuculu sistem topolojisi, güç kaynağının transformatörsüz olarak tasarlanmasına ve üretilmesine imkan verir. Böylece IGBT doğrultuculu KGK sistemleri transformatörsüz olarak üretilirler. Bu da KGK veriminin % 94′lere ulaşmasını sağlar. Bununla beraber KGK, transformatörsüz olduğundan hacim ve ağırlığı azalarak kompakt bir yapı kazanır.
IGBT doğrultucu çift yönlü akım geçirebilme özelliğine sahiptir. Bu özellik sayesinde doğrultucu, yük tarafından KGK’ya enerji basılması durumunda DC barada birikecek olan ilave enerjiyi şebekeye geri aktarmaktadır.

FacebookTwitterTumblrStumbleUponLinkedInPinterest


Bir cevap yazın

Connect with:




This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.